作者:沈春蕾 来源:中国科学报 发布时间:2023/5/4 13:31:27
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天科合达成为英飞凌国产碳化硅材料供应商

 

5月3日,北京天科合达半导体股份有限公司(以下简称天科合达)与英飞凌公司签订了一份长期供货协议,天科合达将为英飞凌供应用于生产碳化硅(SiC)半导体的6英寸碳化硅材料,其供应量占英飞凌未来长期预测需求的两位数份额。

据悉,天科合达孵化于中国科学院物理研究所(以下简称物理所),英飞凌公司前身是西门子集团的半导体部门。双方此次的合作是英飞凌公司完善供应链建设的一次关键选择,英飞凌公司位于马来西亚的碳化硅工厂计划于2024年投产,预计天科合达将有效保证该厂的碳化硅晶圆供应。

物理所研究员、天科合达首席科学家陈小龙向《中国科学报》介绍,碳化硅是引领第三代半导体产业发展的重要材料。与第一代以硅为主、第二代以砷化镓为主的半导体材料相比,第三代半导体材料具有禁带宽度大、饱和电子迁移率高、导热性能等优势,特别适合于做大功率、耐高温、耐高压的半导体器件。

“电动汽车应用碳化硅器件做逆变器、变压器,甚至是车载充电桩,可以做到体积小,重量轻,这样既能提高电动汽车的续航里程,同时因转换效率高,又能够有效节能。”陈小龙表示,未来碳化硅器件将会覆盖更高电压等级器件,可应用于轨道交通和智能电网等领域,有效降低系统能耗,达到节能减排的目的。

陈小龙团队自1999年从基础研究到应用研究开展自主攻关,突破了从生长设备到高质量SiC晶体生长和加工等关键技术,形成具有自主知识产权的完整技术路线,进而推动SiC晶体产业化公司北京天科合达成立。

对于这次签约,陈小龙表示,双方合作即有利于推动天科合达技术进步,也巩固了英飞凌的供应链系统,是一个双赢的选择。   

陈小龙还透露,目前物理所研发团队正在关注碳化硅液相法晶体生长技术,希望基础研究上跟进一步,为其产业化发展奠定基础。

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工程师手拿6和8英寸衬底讨论技术 受访者供图

 
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