作者:王欣然等 来源:《自然》 发布时间:2023/1/12 23:48:27
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科学家攻克二维半导体欧姆接触难题

 

半金属—二维半导体能带杂化艺术想象图 课题组供图

1月11日,南京大学教授王欣然、施毅带领国际合作团队在《自然》上以《二维半导体接触接近量子极限》为题发表研究成果。该科研团队通过增强半金属与二维半导体界面的轨道杂化,将单层二维半导体MoS2的接触电阻降低至42Ω·μm,超越了以化学键结合的硅基晶体管接触电阻,并接近理论量子极限,该成果解决了二维半导体应用于高性能集成电路的关键瓶颈之一。

硅基集成电路在过去60多年一直沿着摩尔定律的预测,朝着更小晶体管尺寸、更高集成度和更高能效的方向发展。然而,由于量子效应和界面效应的限制,硅基器件的微缩化已经接近极限。最新的国际器件与系统路线图预测,在2nm技术节点以下,以MoS2为代表的二维半导体将取代硅成为延续摩尔定律的新沟道材料。

金属—半导体欧姆接触是实现高性能晶体管的关键,特别是在先进工艺节点下。传统硅基器件利用离子注入对接触区域进行高浓度掺杂,通过接触与沟道界面的化学键实现欧姆接触,其接触电阻约为100Ω·μm。由于原子级厚度,二维半导体与高能离子注入工艺不兼容,需要发展全新的欧姆接触技术。与硅相比,二维半导体存在天然的范德华间隙,金属与半导体界面的波函数杂化耦合较弱,因此实现超低接触电阻具有很大的挑战,这也是长期以来限制二维半导体高性能晶体管器件的关键瓶颈之一。

面对上述挑战,合作团队提出了轨道杂化增强的新策略,在单层MoS2晶体管中实现了目前最低的接触电阻42Ω·μm,首次低于硅基器件并接近理论量子极限。团队首先通过第一性原理计算,在半金属Sb中发现了一个特殊的(0112)面,具有较强的z方向原子轨道分布,即使存在范德华间隙仍然与MoS2具有较强的原子轨道重叠,导致金属-半导体能带杂化,大幅提升电荷转移和载流子注入效率。进一步计算发现,该策略对于其他过渡金属硫族化合物半导体(如WS2、MoSe2、WSe2)具有普适性。在实验上,团队发展出高温蒸镀工艺在MoS2上实现了Sb(0112)薄膜的制备,通过X射线衍射和扫描透射电子显微镜验证了Sb薄膜的取向,以及与MoS2之间的理想界面。

基于该工艺,团队制备了MoS2晶体管器件,发现Sb(0112)面与MoS2的平均接触电阻比Sb(0001)面低3.47倍,平均电流密度提升38%,充分证明了Sb(0112)接触对器件性能的显著提升作用。大规模晶体管阵列的统计结果表明Sb (0112)接触的各类性能参数呈现优异的均一特性,有望应用于二维半导体的集成规模化制造。由于接触电阻的降低,20nm沟道长度的MoS2晶体管在1V源漏电压下呈现电流饱和特性,开态电流高达1.23mA/μm,比之前的记录提高近45%,超过了相同节点的硅基CMOS器件,并满足IRDS对1nm节点逻辑器件的性能需求。Sb(0112)接触展现出来的优异电学性能、稳定性和后端兼容性证明该技术有望成为二维电子器件的核心技术。

据悉,该工作由南京大学、东南大学、南京工业大学、湖南大学和美国斯坦福大学共同完成。南京大学教授王欣然、施毅和东南大学教授王金兰为论文共同通讯作者。(来源:中国科学报 温才妃)

相关论文信息:https://doi.org/10.1038/s41586-022-05431-4

 
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