美国伊利诺大学的研究人员利用化学气相沉积法制备得到单壁碳纳米管,研究发现碳纳米管载流能力的第一个平台约为25 mA,在10 V/μm 的较高电场中,高能电子和空穴形成的电子-空穴对可以使电流迅速增长,载流能力达到40 mA,直至纳米管破裂。由于离子雪崩效应,纳米管的形貌也随之变大,这是一种在一些半导体二极管和晶体管中会出现的现象,以前在纳米管中并未发现。相关研究工作发表在《物理评论快报》(
PRL)上。(来源:中国科学院上海硅酸盐研究所)
(《物理评论快报》(
PRL),doi: 10.1103/PhysRevLett.101.256804,Albert Liao,Eric Pop)