本报讯（记者黄辛）由国际电子电气工程师学会主办、中科院上海微系统与信息技术研究所和新加坡数据学院共同承办的第11届非易失性存储器国际研讨会于11月9日在上海落幕。来自美、俄、日等10个国家和地区的200多位专家学者和产业界人士，围绕非易失性存储器领域的最新进展进行了研讨。
与易失性存储器相比，非易失性存储器具有高速、高密度、可微缩、低功耗、抗辐射、断电后仍能保持数据等诸多优点，越来越受到世界各国的重视。目前关于相变存储器、磁性存储器、电阻式存储器、铁电存储器闪存、新型存储器等研究已取得重大进展。
中科院微电子所所长叶甜春表示，此次会议对提高我国在国际非易失性存储器领域的学术地位和影响力具有重要意义。
大会主席、中科院上海微系统所研究员宋志棠介绍说，由上海微系统所、中芯国际、micro—chip组成的联合团队在相变存储器芯片的工程化研究方面已取得突破性进展，研制出8Mb测试芯片，并实现全部存储功能。8英寸整片Bit优良率超过99％，开发出自主IP的双沟道隔离二极管阵列，实现了工艺集成和相关功能的演示，并建立了8英寸整片测试系统。
在此基础上，上海微系统所与中芯国际建立了12英寸专用PCRAM平台。12英寸40纳米相变存储器的产业化关键技术也取得了重要进展，完成了第一版芯片的设计，并进入关键的工艺开发；初步完成了尺寸为60～70纳米的相变材料填充和抛光、刻蚀等单项工艺开发。
《科学时报》 (2011-11-11 A2 综合)
