作者:蒋子文 来源:澎湃新闻 发布时间:2023/11/9 19:30:54
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中国工程院外籍院士施敏去世,被称为“半导体一代宗师”

 

中国工程院院士馆网站 图

中国工程院官网“院士馆”栏目近日更新信息显示,中国工程院外籍院士、美国国家工程院院士、国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家施敏于2023年11月6日去世。

中国侨网援引美国《旧金山纪事报》发布的讣告称,施敏于11月6日安详离世,享年87岁。讣告中称,他的非凡一生以及对电子和半导体器件世界的贡献,将被铭记和珍惜。

施敏被誉为“半导体一代宗师”。中国工程院官网介绍称,施敏是非挥发MOS场效应记忆晶体管(NVSM)的发明者,在金半接触、微波器件及次微米金属半场效应晶体技术等领域都有开创性的贡献,在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。

公开资料显示,施敏1936年3月生于中国南京,在中国台湾长大,1957年毕业于中国台湾大学电机系,1960年在美国华盛顿大学获电机工程硕士,1963年在美国斯坦福大学获电机工程博士,系美国国籍。他于1967年在美国与姜大元博士共同发现浮栅存储(FGM)效应,是广泛应用的快闪存储器之核心发明。

在半导体设备,尤其是半导体接触,微波器件和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术的研发中,施敏的贡献具有奠基性和开创性的意义。尤其是他参与研发的非易失性半导体存储器(NVSM),影响深远,随之诞生了包括闪速储存器和电可擦只读储存器(EEPROM)在内的大量储存设备。

施敏还撰写了具有传奇色彩的研究专著《半导体器件物理学》。这是一本全球半导体和集成电路研究人员“必学”之书,一直被研究生院教师/学生以及整个电子和光子行业的工程师使用和引用。

2021年9月,施敏摘得2021未来科学大奖三项大奖之一的“数学与计算机科学奖”。他在现场连线中谈到,“我个人非常希望年轻的人能够从事科学方面的研究,为什么?因为年轻人,尤其在二十几岁到三十几岁时对发明和发现有最高的能力。”

 
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