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国家第三代半导体技术创新中心推进会在湖南召开 |
院士专家获聘首届技术咨询委员会主任、委员 |
10月11日,国家第三代半导体技术创新中心(湖南)(以下简称“国创中心(湖南)”)建设推进会暨第一次技术咨询委员会成立大会在长沙召开。湖南省人民政府副省长陈飞、副秘书长周义祥,中国工程院院士罗安,中国科学院院士江风益,中国电科总监徐少俊,国家第三代半导体技术创新中心主任张鲁川,中国电子科技集团公司第四十八研究所所长王平以及湖南省有关单位、长沙市政府、湘江新区、高校科研院所的相关负责人与会。
国创中心(湖南)建设推进会暨第一次技术咨询委员会成立大会在长沙召开。主办方 供图
会议听取了国创中心(湖南)建设情况及下一阶段重点工作汇报,聘请了中国工程院院士罗安、中国科学院院士江风益等行业顶尖专家出任第一届技术咨询委员会。
会议现场。主办方 供图
国创中心(湖南)平台将重点聚焦第三代半导体装备领域,有效衔接政府支持和企业需求,联合行业龙头企业及重点科研院校,汇聚创新资源,形成创新支点,支撑高水平科技自立自强和国家半导体装备产业集聚区建设;通过打造科技创新新型举国体制试验田,带动第三代半导体全产业链发展,服务国家重大战略需求、服务产业高质量发展、服务湖南区域经济发展,将有力支撑“三高四新”“强省会”战略实施。
颁发聘书环节。王昊昊 摄
目前,湖南第三代半导体业务蓬勃发展。据介绍,国创中心(湖南)平台通过建设协同研发平台、技术创新高地及产业孵化引擎,聚焦前瞻性、颠覆性技术基础领域,重点开展碳化硅核心装备、重大前沿装备、整线集成等技术工程化和产业化工作,通过装备母机的放大作用,有效带动第三代半导体全产业链发展,已初步形成以装备、芯片制造、关键零部件为主线的具有湖南优势和特色的产业集群。
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