本报讯 （记者 江世亮）记者从中科院半导体研究所、中科院微电子研究所获悉，我国著名半导体器件物理学家、中国半导体科学奠基人之一、中科院院士王守武先生因病医治无效，7月30日在美国逝世，享年95岁。
王守武先生组织领导并亲自参加了我国第一台单晶炉的设计、第一根锗单晶的拉制、第一只锗晶体管的研制和第一根硅单晶的拉制。1980年当选为中科院院士。
本报去年12月18日科技文摘专刊曾刊登华良甫先生撰写的文章《王守武：执着创“芯”六十年》，介绍了这位德高望重的著名科学家。（原标题：我国半导体科学奠基人之一 中科院院士王守武在美去世）
特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用，须保留本网站注明的“来源”，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，请与我们接洽。
