【科学网 黄辛 摄影报道】6月19日，被誉为“亚洲最大规模的电力电子核心部件(功率半导体、驱动器、叠层母排、电容器等)以及相关制造业产品的最佳展示平台”的亚洲2013 电力电子、智能运动、可再生能源与能源管理国际展览会与研讨会在上海世博展览馆举行。
电力电子技术近年来在中国飞速发展，并在相关科技领域中扮演着越来越重要的角色，如新能源领域、通信行业、交通运输业和电力行业。随着技术的不断完善与创新，电力电子在风能、太阳能、电动交通领域的应用中，其重要性越来越凸显。三菱电机一系列碳化硅（SiC）功率模块在本次亚洲展中隆重亮相。
据介绍，目前市场上采用的功率模块的IGBT芯片大多采用硅材料制造，但是业界对硅（Si）材料的性能利用已接近极限。与Si相比，SiC的禁带宽度是Si的3倍，临界击穿电场强度是Si的10倍，电子饱和速率是Si的2倍。
与传统的Si功率器件相比，SiC功率器件具有关断拖尾电流极小、开关速度快、损耗低、耐高温的特性。采用SiC功率器件开发电力电子变流器，能提高功率密度，缩小装置体积；提升变流器效率；提高开关频率，缩小滤波器体积；确保高温环境下运行的可靠性；还易于实现高电压大功率的设计。SiC功率器件可广泛用于节能、高频和高温三大电力电子系统。
三菱电机迄今为止发布的SiC功率模块，包括用于变频空调的600V/15A混合SiC DIPIPMTM、600V/20A混合SiC DIPPFCTM、600V/20A全SiC DIPPFCTM，用于工业设备的1200V/75A混合SiC-IPM、1200V/800A全SiC模块、600V/200A混合SiC-IPM，以及用于铁路牵引的1700V/1200A混合SiC-HVIGBT。
