本报上海2月6日讯（记者黄辛）记者今天从中国科学院上海硅酸盐研究所获悉，该所科技人员立足自主研发，在掌握直径2英寸、3英寸碳化硅单晶生长技术之后，2月4日，成功生长出直径4英寸4H晶型碳化硅单晶，这标志着我国碳化硅单晶生长技术达到了国际一流水平。
据介绍，碳化硅单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，饱和漂移速度高，临界击穿场强大，热导率高等诸多特点，主要用于制作高亮度LED、二极管、MOSFET等器件。在绿色照明领域，用碳化硅衬底制作的LED性能远优于蓝宝石衬底。专家表示，碳化硅衬底需求将在短期内迎来一个爆发增长期。
该项目得到国家重大专项和“863”计划的支持。
《中国科学报》 (2013-02-07 第1版 要闻)
