作者:黄辛 来源:中国科学报 发布时间:2013-2-7 11:39:35
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中科院上海硅酸盐所研发出4英寸碳化硅单晶

 
本报上海2月6日讯(记者黄辛)记者今天从中国科学院上海硅酸盐研究所获悉,该所科技人员立足自主研发,在掌握直径2英寸、3英寸碳化硅单晶生长技术之后,2月4日,成功生长出直径4英寸4H晶型碳化硅单晶,这标志着我国碳化硅单晶生长技术达到了国际一流水平。
 
据介绍,碳化硅单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大,饱和漂移速度高,临界击穿场强大,热导率高等诸多特点,主要用于制作高亮度LED、二极管、MOSFET等器件。在绿色照明领域,用碳化硅衬底制作的LED性能远优于蓝宝石衬底。专家表示,碳化硅衬底需求将在短期内迎来一个爆发增长期。
 
该项目得到国家重大专项和“863”计划的支持。
 
《中国科学报》 (2013-02-07 第1版 要闻)
 
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