作者:C. Drexler 来源:《自然—纳米技术》 发布时间:2013-1-24 14:28:19
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新型石墨烯晶体管实现高开关比率
 
据物理学家组织网1月23日(北京时间)报道,英国曼彻斯特大学的科研人员设计出一种新型石墨烯晶体管,在其中电子可借助隧穿和热离子效应,同时从上方和下方穿越障碍,并在室温下展现出高达1×106的开关比率。
 
石墨烯晶体管获得较高的开关比率一直难以实现,而有了高开关比,以及其在柔性、透明基板上的操作能力,新型晶体管能够在后CMOS设备时代占有一席之地,并有望达到更快的计算速度。相关研究发表在近期出版的《自然—纳米技术》(Nature Nanotechnology)杂志上。
 
石墨烯晶体管多具有三明治结构,以原子厚度的石墨烯作为外层,而以其他超薄材料作为中间夹层。这些中间层可以囊括多种不同材料。在此次的研究中,科学家使用二硫化钨(WS2)作为中间层,其能够作为两个石墨烯夹层之间原子厚度的壁垒。与其他壁垒材料相比,二硫化钨的最大优势在于,电子可借助热离子运输方式从上方越过障碍,也可利用隧穿效应从下方穿过障碍。处于关闭状态时,极少电子能借助上述方式穿越障碍,但当调至开启状态时,电子既能选用一种方式逾越壁垒,亦能同时选择两种方式以实现类似效果。
 
开关间切换将改变晶体管的栅电压。负栅电压将形成关闭状态,因为其将增加隧穿障碍高度,因此几乎没有电子能够越过壁垒。而正栅电压能通过降低隧穿障碍的高度使晶体管转换至开启状态。同时,如果温度足够高,亦可借助热离子电流从上方越过壁垒。在低电压和低温的情况下,隧穿电流与电压呈线性关联。但当处于高压下时,隧穿电流会随电压呈现指数增长,此时热离子电流就会成为主要的传输机制。
 
利用上述特质和二硫化钨壁垒材料,新晶体管成为目前性能最佳的石墨烯晶体管之一。此外,由于仅具有几个原子层的厚度,新型晶体管能够耐受弯曲,未来更有望应用于柔性、透明电子设备的制造,成为后CMOS设备时代的有力备选。(来源:科技日报 张巍巍)
 
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2013/1/28 10:51:56 fluctuation
原文链接错误
http://www.nature.com/nnano/journal/vaop/ncurrent/full/nnano.2012.224.html

Vertical field-effect transistor based on graphene–WS2 heterostructures for flexible and transparent electronics
2013/1/28 10:51:51 fluctuation
原文链接错误
http://www.nature.com/nnano/journal/vaop/ncurrent/full/nnano.2012.224.html

Vertical field-effect transistor based on graphene–WS2 heterostructures for flexible and transparent electronics
 
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