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论文作者:J. J. Kim 期刊:APL 发布时间:2008-6-11 15:2:29
基于电子全息技术的磁畴观测
 
通过垂直磁记录技术,有望在硬盘驱动器上达到1Tb/in2记录密度。相对于纵向记录技术,由于磁头与磁介质的软磁底层之间的耦合可以提供更强的磁场,让其能够以更高的稳定性将数据写入介质,所以垂直记录技术有着优越的写入效率。但是强烈的磁耦合偶尔会产生写入不稳定行,如信号擦除等,因此许多工作不仅需要调制磁膜的性能,而且还需要对磁头的形貌和结构进行研究。
 
为了明确由Ni-Fe和Co-Ni-Fe组成的记录磁头纳米尺度磁极端的磁畴结构,日本的科学家采用了电子全息技术进行观测。结果证明,电子全息技术是观测磁畴结构的有效手段。当对磁头施加一个外加磁场时,他们还首次观测到内部的磁场泄漏和详细的磁通量分布。实验中采用经过挑选的厚度为250nm的Ni-Fe和Co-Ni-Fe写入磁极。观测结果说明了Co-Ni-Fe端极具有Ni-Fe端极不具备的可擦除特性。
 
此实验还揭示了电子全息技术的重要性,对于了解纳米磁极的磁性能可以提供有效的信息,还可以解决垂直记录技术中的很多问题,如磁极擦除等。相信,通过对磁极微观结构和性能的了解,进一步提高磁记录密度是非常有希望的。
 
相关论文发表在《应用物理快报》(Appl. Phys. Lett.)上。(科学新闻杂志 张建/编译)
 
(《应用物理快报》(Appl. Phys. Lett.),DOI:10.1063/1.2909581,J. J. Kim,A. Tonomura)
 
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