作者:黄敏聪 来源:中国科学报 发布时间:2014-4-8 10:23:16
选择字号:
镁光与索尼合力研发出大容量高速存储器

图片来源:http://www.21gcjx.com
 
近日,索尼和镁光公司宣布其研发小组开发出高速、大容量ReRAM(可变电阻式存储器),该类型存储器填补了DRAM与NAND之间的性能鸿沟,有望提高整体系统性能。
 
新产品的容量为16Gbit,超过了目前的DRAM,而且具备超过NAND闪存的高速性。数据传输速度在读取时为1GB/秒,写入时为200MB/秒,访问等待时间在读取时为2μs,写入时为10μs。采用1GB/秒的DDR接口以及与DRAM接近的8存储体储存器架构,通过并联运行实现了高速化。
 
据悉,电阻变化元件采用CuTe膜和绝缘膜的双层构造,通过铜离子的移动在元件内部形成导电桥来改变电阻值。储存器单元由一个选择晶体管和电阻变化元件构成。采用27nm工艺、3层铜布线技术制造,单元面积为4374nm2,芯片面积为168mm2。(黄敏聪整理)
 
《中国科学报》 (2014-04-08 第7版 制造)
 
 打印  发E-mail给: 
    
 
以下评论只代表网友个人观点,不代表科学网观点。 
SSI ļʱ
相关新闻 相关论文

图片新闻
中国科大研制出一种新型软体机器人手臂 科学家合成新核素铀-214
新方法拣出“大”颗粒 科学家揭示铁电体材料小漩涡奥秘
>>更多
 
一周新闻排行 一周新闻评论排行
 
编辑部推荐博文
 
论坛推荐