由中国科学院主持的“砷化镓霍尔器件高技术产业化示范工程”项目，近日在北京通过国家发改委验收。示范工程由北京华源科半光电子科技有限责任公司和浙江博杰电子有限公司共同承担，项目采用的是中科院半导体所自主知识产权技术，提高了器件的抗静电击穿能力、线性度和成品率，将形成年产1亿只砷化镓霍尔器件批量生产规模。
砷化镓（GaAs）霍尔器件是一种电磁转换的磁敏器件，广泛用于电子、汽车、测量等众多领域，是半导体磁传感器中最成熟、产量最大的产品。但国内尚无企业能生产该产品。随着无刷电机、汽车电子、计算机、信息家电等产业的发展，对霍尔器件的需求大幅度增加。
该示范项目在国内首次采用高能量离子注入方法，成功生产出高性能、低成本的砷化镓霍尔器件，优良、管芯成品率可达70%～80%，为产品规模化生产提供了保证。利用该技术生产出的砷化镓霍尔器件具有温度特性优良、输出电压线性好、输入阻抗高、低失调率、V0时漂小等优点，各项技术指标均处于国内领先水平，有些关键指标（如器件的低失调率和灵敏度）达到世界水平。目前已有销售合作单位69家，意向订货量已近5000万只。该项目的实施起到了高科技产业化示范作用。
《科学时报》 (2009-10-23 A2 国内)
